依照台积电（TSMC）的组织，将在2nm制程节点将首度运用Gate-all-around
FETs（GAAFET）晶体管，一起制作进程仍依赖于极紫外（EUV）光刻技能，方案2025年进入大批量出产阶段，客户在2026年就能收到第一批选用N2工艺制作的芯片。
据Trendforce报导，有陈述显现，台积电正在活跃装置关于先进工艺至关重要的EUV光刻机，以敷衍2nm工艺的量产，本年和下一年将接纳超越60台EUV光刻机，投入的资金额超越4000亿新台币（约合123亿美元/人民币894亿元）。
跟着ASML不断扩大产能，估计2025年EUV光刻机的交给量将增加30%以上，台积电也会因而获益。上一年ASML为了呼应客户的需求方案增产，下一年的EUV光刻机交给量会有显着增加，估计本年为53台，下一年增至72台以上。据了解，ASML在2025年的方针产能为90台EUV光刻机、600台DUV光刻机、以及20台High-NA
EUV光刻机。
EUV光刻机的供给一向很严重，交货时刻在16至20个月之间，2024年的订单大部分要到2025年才干交给。风闻台积电2024年订货了30台EUV光刻机，2025年为35台。不过因为台积电或许会对本钱开销方案进行调整，这些数字最终会略有改变。此外，台积电有望在本年某个时分接受到最新的High-NA
EUV光刻机。