近来，长江存储（YMTC）在美国加州北部地区的地方法院对美光提申述讼，指控对方侵略其11项专利，触及3D
NAND闪存及DRAM产品，要求法院勒令美光中止在美国出售侵权的存储器产品，并付出相关的专利使用费。
据Blocks & Files报导，长江存储称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D
NAND闪存以及其他一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵略了长江存储在美国提交的专利或专利申请。
其实早在上一年11月，长江存储已经在美国加州北部地区的地方法院向美光提申述讼，指控对方侵略其8项专利与3D
NAND闪存的专利。此外，长江存储还在上个月，在美国加州北部地区的联邦法院提申述讼，指控受美光赞助的丹麦咨询公司Strand
Consult及其副总裁Roslyn Layton分布虚伪信息，企图损坏长江存储的商场名誉和商业联系。
虽然长江存储在2022年底被美国商务部列入了实体清单，无法从美国公司取得先进的半导体设备来制作128层及以上的3D
NAND闪存，可是依然努力地经过原有设备及国产设备持续开发新技术。根据Xtacking 3.0架构的芯片仍在不断出产，并且在本年早些时候，成功地将3D QLC
NAND的耐久性大幅提高到3D TLC NAND的水平。此外，长江存储还在开发根据Xtacking
4.0架构的芯片，最快或许会在本年底呈现，层数超过了300层。